Разнообразие кристаллографических форм
В МОНОКЛИННОЙ СИНГОНИИ единственный элемент симметрии совмещается со второй кристаллографической осью, остальные - по осям наиболее развитых зон. Ось III ориентируется по удлинению кристалла и по оси развитой зоны.
В РОМБИЧЕСКОЙ СИНГОНИИ элементов симметрии достаточно, оси или нормали к плоскостям совмещаются с координатными осями. Система координат прямоугольная.
В ТЕТРАГОНАЛЬНОЙ СИНГОНИИ - ось 4-го порядка совмещается с III кристаллографической осью, а первые две с осями 2-го порядка либо выходящими на ребрах, либо на гранях под углом 90º друг к другу. Система координат прямоугольная. Возможны два рода установки:
1-го рода - координатные оси совмещаются с осями симметрии, выходящими на ребрах;
2-го рода - координатные оси совмещаются с осями симметрии, выходящими из середины граней.
В ТРИГОНАЛЬНОЙ и ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ СИНГОНИЯХ установка производится по 4-м осям, причем IV ось совмещается с осью 3го или 6-го порядка, а первые три с осями 2-го порядка через 120º друг к другу. Здесь также возможны два рода установки:
1-го рода, когда за I, II, III оси выбираются оси, выходящие на ребрах;
2-го рода, когда оси, выходящие на серединах граней, принимаются за I, II,III оси.
В КУБИЧЕСКОЙ СИНГОНИИ для кристаллов кубического облика установка производится по осям 4-го порядка, для кристаллов тетраэдрического облика по осям Li4 или, что то же самое, L2, в кристаллах пентагондодекаэдрического облика - по осям 2-го порядка. Система координат прямоугольная.
Таблица 4
Схемы установки кристаллов в различных сингониях
Сингония |
Кристаллографические оси |
Единичная грань | Константы кристалли- ческих решеток | ||||||||||||||||||||||||
1 | 2 | 3 | 4 | ||||||||||||||||||||||||
Триклинная |
Оси параллельны действительным или возможным ребрам кристалла, Z - параллельна оси наиболее развитого пояса. III С III II
II β I γ I α = β = γ = 90˚ |
Отсекает на осях неравные отрезки III c0 в0 II a0 I а0 = в0 = с0 |
α β, γ; a : 1 : с | ||||||||||||||||||||||||
Моноклинная |
У - совмещается с L2 или к Р. Х и Z в плоскости У,парал-лельно ребрам кристалла. III Z - вертикальна IIIL2PC
II α 90˚ β II γ 90˚ I I β =α = γ = 90˚ |
Отсекает на осях неравные отрезки III с0 в0 II а0 а0 = в0 = с0 I |
β; a : 1 : с | ||||||||||||||||||||||||
Ромбическая |
Оси совмещаются с единичными направлениями - с L2 или с L2 и перпендикуляром к 2Р III 3L23PC III II II 90˚ α 90˚ β II I γ 90˚ α = β = γ =90˚ |
Отсекает на осях неравные отрезки. III с0 а0 в0
I II а0 = в0 = с0 | а : 1 : с | ||||||||||||||||||||||||
Тетрагональная |
Z - вертикальна и совмещается с L4 или Li4. X и У Z или по двойным осям, или их к плоскостям симметрии, ребрам I III II 90˚ 90˚ II I 90˚ I α = β = γ = 90˚ |
На осях Х и У - равные отрезки и неравные им по оси Z III c0 а0 в0 II I
а0 = в0 = с0 | 1 : 1 : с | ||||||||||||||||||||||||
Тригональная, гексагональная |
Гексагональная установка: IVось совмещается с L3 или L6 , I, II, III по двойным осям, Р, ребрам IV I а IV III II 120˚ I II I 60˚ 120 III б 60˚ -III II |
На двух осях равные отрезки, на одной неравный IV IV
с0 I c0 I а0 60 а0 а0 а0 60˚ а -Ш 60˚ II 2 60˚ II (011) -III (111) 1-го рода 2-го рода а б |
1 : 1 : 1 : с | ||||||||||||||||||||||||
Кубическая |
Оси совмещаются с 3L4 или 3Li4 или 3L2 III III III
II II I I 90˚ 90˚ I 90˚ II III I II
I α = β = γ = 90˚ |
Отсекает равные отрезки. III
а0 а0 а0 II I а0 = в0 = с0 | |||||||||||||||||||||||||