Наименование элементов структуры

условное обозначение

тип

пр-ти

материал слоя

наименование ГОСТ, ОСТ, ТУ

сопротивление

слоя rs=Ом/„

толщина слоя, глубина диффузии мкм

защитный слой

Н1

-

SiO2 термический

-

-

0.4±0.05

диффузионный карман n-канальнх транзисторов

Н2

p

трехфтористый бор

ОСТ 6-02-4-83

750-1500

9±1.5

защитный слой

Н3

-

SiO2 термический

-

-

0.3±0.05

области стока, истока

Н4

p+

трехфтористый бор

ОСТ 6-02-4-83

£110

1.7±0.5

защитный слой

Н5

-

SiO2 термический

-

-

0.4±0.05

области стока, истока

Н6

n+

фосфор-хлор окись

ТУ-09-3537-85

£40

2±0.5

защитный слой

Н7

-

SiO2 термический

-

-

0.35±0.05

диэлектрик затвора

Н8

-

SiO2 термический

-

-

0.1+0.01-0.02

контактные окна

-

-

-

-

-

- - - - - - -

контактные площадки и проводники

Н9

-

заготовки 270х120х28

Яе 0.021,157 ТУ

-

1.2±0.1

защитный слой

Н10

-

смесь газовая аргона с моносиланом

фоторезист ФП-383

ТУ6-02-1228-82

ТУ6-74-632-86

-

-

0.8±0.1

1.3±0.2

наименование

нормы цеха

погрешность

режим измерения

номер

параметра

не менее

не более

%

Ucc,B

Uo,B

Uoпор,B

UIпор,B

UIa,B

UIH,B

теста

проверка контактир.,В

-

/-2/

-

-

-

-

-

-

-

1-16

Uпроб,B

15.0

-

±5

-

-

-

-

-

-

17,18

IIa,мкА

-

0.06

±40

15

-

-

-

0

15

51-56

IIH,мкА

-

0.06

±40

15

-

-

-

0

57-62

Icc,мкА

-

8.0

±5

15

-

-

-

0

15

63-93

Ioa,мА

1.35

-

±5

10

0.5

-

-

0

10

27-34

Ioa,мА

0.53

-

±5

5

0.4

-

-

0

5

19-26

IoH,мА

0.75

-

±5

10

9.5

-

-

0

10

43-50

IoH,мА

0.63

-

±5

5

5

-

-

0

5

35-42

Uоa,B

-

0.008

±40

10

-

-

-

0

10

102-109

UoH,B

-0.008

-

±40

0

-

-

-

-10

0

110-118

Uoa max,B

-

0.6

±5

5

-

1.7

3.3

-

-

119-127

UoH min,B

4.65

-

±5

5

-

1.7

3.3

-

-

128-134

Jcc,мкА

-

5.0

-

-

-

-

-

-

-

94,96,98,100

Jcc,мкА

5.0

-

-

-

-

-

-

-

-

95,97,99,101