Технология производстваРефераты >> Технология >> Технология производства
При обработке пластин в первой рабочей ванне в серной кислоте после обработки каждых 250 пластин доливать серную кислоту 150-200 мл до уровня верхней отметки на стенке ванны.
3.8 Переставить кассету с пластинами во вторую рабочую ванну со смесью Каро.
3.9 Включить реле времени второй рабочей ванны.
3.10 Извлечь кассету с пластинами с помощью ручки из второй ванны при загорании красной сигнальной лампочки.
В одной порции смеси Каро обрабатывать не более 300 пластин.
После обработки 100 пластин осторожно доливать в ванну со смесью Каро (200±50) мл перекиси водорода. Следующую доливку делать после обработки каждых 50 пластин.
3.11 Выдержать пластины в кассете в рабочем объеме в течении 1-2 минут.
3.12 Поместить кассету с пластинами в ванну с горячей деионизованной водой.
3.13 Промыть пластины в ванне с горячей деионизованной водой в течении 1-2 минут.
3.14 Перенести кассету с пластинами из промежуточной ванны в ванну каскадной промывки.
3.15 Проводить отмывку пластин в деионизованной воде в первой и во второй ваннах каскада в течении 2-3 минут в каждой ванне. В третьей ванне каскада выдержать до снижения сопротивления сливной воды 3 Мом·см по прибору контроля сопротивления деионизованной воды.
3.16 Перенести кассету с пластинами на сушку пластин по ТВО 734 618 ТАК КАК по окончании отмывки пластин.
3.17 Передать обработанные пластины в кассете на следующую операцию, заполнив сопроводительный лист.
3.18 Отключить по окончании работы нагреватели ванн, поставив тумблер блока управления НАГРЕВАТЕЛЬ в нижнее положение.
3.19 Слить серную кислоту и смесь Каро из рабочих ванн, открыв кран слива и предварительно охладив их до (80-50) 0С.
Перед сливом серной кислоты добавить в ванну 200 мл перекиси водорода.
3.20 Промыть рабочие ванны, находящиеся в них решетки и нагреватели, деионизованной водой из шланга.
3.21 Закрыть вентили слива и закрыть рабочие ванны крышками.
3.22 Протереть стол установки, крышки ванн салфеткой из мадаполама.
3.23 Отключить технологический блок. Проводить отмывку оснастки и ванн установки не реже одного раза в неделю. Разрешается одновременно обрабатывать по две кассеты с пластинами.
КОНТРОЛЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРИСТАЛЛА
Оборудование
· система измерительная Н2001 (“Интеграл”);
· зонд измерительный ОМ6010;
Алгоритм программы разбраковки
Алгоритм программы разбраковки кристаллов 564ИЕ10 приведен в табл. 4.
Рис.3.
Табл. 3.
наименование элементов структуры |
условное обозначение |
тип пр-ти |
материал слоя наименование ГОСТ, ОСТ, ТУ |
сопротивление слоя rs=Ом/ |
толщина слоя, глубина диффузии мкм | |
защитный слой |
Н1 |
- |
SiO2 термический |
- |
- |
0.4±0.05 |
диффузионный карман n-канальнх транзисторов |
Н2 |
p |
трехфтористый бор |
ОСТ 6-02-4-83 |
750-1500 |
9±1.5 |
защитный слой |
Н3 |
- |
SiO2 термический |
- |
- |
0.3±0.05 |
области стока, истока |
Н4 |
p+ |
трехфтористый бор |
ОСТ 6-02-4-83 |
£110 |
1.7±0.5 |
защитный слой |
Н5 |
- |
SiO2 термический |
- |
- |
0.4±0.05 |
области стока, истока |
Н6 |
n+ |
фосфор-хлор окись |
ТУ-09-3537-85 |
£40 |
2±0.5 |
защитный слой |
Н7 |
- |
SiO2 термический |
- |
- |
0.35±0.05 |
диэлектрик затвора |
Н8 |
- |
SiO2 термический |
- |
- |
0.1+0.01-0.02 |
контактные окна |
- |
- |
- |
- |
- |
- - - - - - - |
контактные площадки и проводники |
Н9 |
- |
заготовки 270х120х28 |
Яе 0.021,157 ТУ |
- |
1.2±0.1 |
защитный слой |
Н10 |
- |
смесь газовая аргона с моносиланом фоторезист ФП-383 |
ТУ6-02-1228-82 ТУ6-74-632-86 |
- - |
0.8±0.1 1.3±0.2 |
Табл. 4. Нормы параметров 564 ИЕ10