Оптимизация профиля отражения частотных фильтров излучения с использованием модулированных сверхрешеток
1.44 1.44 1.44 1.44 1.44 1.44 1.44
Рисунок 3. Схематичное представление одного стека бинарных
структур.
То есть в стеке происходит постепенное утолщение с последующим уменьшением толщины слоев с одним показателем преломления, и обратные этим изменения для слоев с другим показателем преломления.
Что это такое станет более очевидным, если посмотреть на графики № 19 и № 22.
График 19. Схематичное изображение оптического пути для
трехстековой модулированной структуры из ста слоев.
График 20. Зависимости отражения волны для
трехстековой модулированной структуры из ста слоев
при угле падения 00 от частоты.
График 21. Зависимости отражения волны для
трехстековой модулированной структуры из ста слоев
при угле падения 450 от частоты.
График 22. Схематичное изображение оптического пути для
пятистековой модулированной структуры из ста слоев.
График 23. Зависимости отражения волны для
пятистековой модулированной структуры из ста слоев
при угле падения 00 от частоты.
График 24. Зависимости отражения волны для
пятистековой модулированной структуры из ста слоев
при угле падения 450 от частоты.
Очень интересным представляется плато в области 1*1015 Гц при угле падения 00. То, что эта частота не является рабочей для лазеров, не должно пугать, ибо всегда можно ее сместить изменением толщины всех слоев (не меняя при этом отношения толщин между соседними). Но при увеличении угла падения, это плато расщепляется на несколько узких пиков, которые расплываются в сторону увеличения частоты.
Такая дисперсия может помешать управлению излучением, но в этом видятся некие другие возможности.
4.3 Бинарные решетки с гауссовыми модуляциями.
Ну и, наконец, последняя из предложенных модуляций – модуляция по функции Гаусса.
На самом деле здесь возможно два варианта (рисунок № 4 и рисунок № 5, график № 25 и графики № 26 и № 27). Для порядка вкратце рассмотрим оба. Первый из них (рисунок № 4 и график № 25) назовем псевдогауссовым, ввиду того, что параметр (в нашем случае – оптический путь) сначала уменьшается, а потом увеличивается, то есть функционально изменяется обратно функции Гаусса.
Схематически псевдогауссову модуляцию можно изобразить следующим образом:
2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2
1.44 1.44 1.44 1.44 1.44 1.44 1.44
Рисунок 4. Схематичное представление структура с псевдогауссовой
модуляцией.
То есть происходит одновременное утолщение и утоньшение слоев с разными показателями преломления.
Оптический путь такой структуры схематично представлен на графике № 25.
График 25. Схематичное изображение оптического пути для
псевдогауссовой модуляции структуры.
Второй вариант – сначала утолщение, а потом утоньшение (но обязательно одновременное для слоев с разными показателями преломления) по функции Гаусса, как это показано на рисунке 5.
2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2 2.2
1.44 1.44 1.44 1.44 1.44 1.44 1.44
Рисунок 5. Схематичное представление структура с гауссовой
модуляцией.
Оптический путь при такой модуляции схематично показан на графике № 26 и графике № 27.
График 26. Схематичное изображение оптического пути для
гауссовой модуляции структуры (малое число слоев (18)).
График 27. Схематичное изображение оптического пути для
гауссовой модуляции структуры (большое число слоев (46)).
При псевдогауссовой модуляции появляется довольно беспорядочный набор узких пиков, чередующихся с сильно возмущенными зонами, с коэффициентом отражения от 0.2 до 0.7. И вся эта картинка «плавает» и диспергирует в зависимости от угла падения излучения. Приводить ее здесь не будем. Сейчас перейдем непосредственно к бинарным структурам, промодулированным с помощью функции Гаусса exp(-x2/s2), где параметр s = L/4. Здесь L – ширина всей структуры.
Поскольку все схематические изображения в данном случае выглядят так же, как на графиках № 26 и 27 только с разным числом слоев, не будем приводить их в дальнейшем.
Восьмислойная структура дает следующие результаты:
График 28. Зависимости отражения волны для
структуры из восьми слоев при угле падения 00 от частоты.
График 29. Зависимости отражения волны для
структуры из восьми слоев при угле падения 450 от частоты.