9. Батарейная память и часы - CMOS Memory, RTC

В РС ХТ конфигурация оборудования (объем памяти, количество дисководов и т.п.) задавалась DIP переключателями, состояние которых опрашивалось во время POST. В АТ для хранения подобной информации, состав которой расширился, ввели специальную микросхему памяти КМОП небольшого объема, питание которой при выключенном компьютере осуществляется от батарейки. В ту же микросхему поместили и часы-календарь, также питающиеся от той же батарейки. Эта память и часы - CMOS Memory and Real Time Clock (RTC) - стали стандартным элементом архитектуры РС. Содержимое этой памяти и дату сначала модифицировали с помощью внешней загружаемой утилиты SETUP, позже эту утилиту встроили в BIOS. Микросхемы CMOS RTC имеют встроенную систему контроля непрерывности питания, отслеживающую и разряд батареи ниже допустимого уровня. Достоверность информации конфигурирования проверяется с помощью контрольной суммы.

Доступ к ячейкам CMOS RTC осуществляется через порты ввода/вывода 070h (индекс ячейки) и 071h (данные). Поскольку эта память имеет быстродействие порядка единиц микросекунд, между командами записи адреса и чтения/записи данных необходима программная задержка.

10. Компоненты: установка и конфигурирование

Современные системные платы имеют ряд сменных или добавляемых компонентов. В процессе модернизаций (Upgrade) часто меняют процессор, наращивают объем и повышают быстродействие ОЗУ и кэш-памяти, меняют версию BIOS. Эти действия обычно связаны с изменениями аппаратных и программных настроек, о которых и пойдет речь.

11. Оперативная память (DRAM)

Вся оперативная память современных РС располагается на системной плате. Первые модели (ХТ, АТ-286) позволяли наращивать оперативную память при помощи установки в слот ISA специальных карт расширения. Однако быстродействие памяти, подключенной через шину расширения, оставляет желать лучшего. Кроме того, появились компактные модули SIMM, SIPP, а позднее и DIMM, корпуса микросхем памяти стали более емкими, и острота проблемы занимаемой площади спала. По этим причинам уже многие модели АТ-286 и большинство моделей АТ-386 и старше в качестве оперативной памяти не воспринимают память, обнаруженную на модулях расширения, устанавливаемых в слотах шин расширения. Отметим, что были модели АТ-286, у которых модуль памяти устанавливался в специальный слот системной шины, а у некоторых серверных платформ ОЗУ устанавливается на отдельных платах или платах процессоров, но это уже не унифицированные рядовые компьютеры.

В качестве оперативной памяти используют микросхемы динамической памяти (DRAM) различных типов архитектуры:

· Std или FPM - стандартные, они же страничные;

· EDO - с расширенным временем присутствия данных на выходе;

· BEDO - пакетные с расширенным временем присутствия данных на выходе;

· SDRAM - синхронная динамическая память.

По типу упаковки на системную плату устанавливают следующие компоненты:

· DIP-корпуса с двухрядным расположением выводов, разрядностью 1 или 4 бит;

· ZIP-корпуса, с зигзагообразным расположением выводов, разрядностью 1,4 бит;

· SIPP-модули, имеющие 30 штырьковых выводов, разрядностью 8 (9) бит;

· SIMM-30 - модули, имеющие 30 печатных выводов, разрядностью 8 (9) бит (короткие);

· SIMM-72 - модули, имеющие 72 печатных вывода, разрядностью 32 (36 или 40) бит (длинные);

· DIMM - модули, имеющие 168 печатных вывода, разрядностью 64 (72 или 80) бит;

· SODIMM-72 - модули, имеющих 72 печатных вывода, разрядностью 32 (36) бит;

· SODIMM-144 - модули, имеющие 144 печатных вывода, разрядностью 64 (72) бит.

Для системных плат 486 процессоров и старше наиболее популярны модули SIMM-72, в которые упаковывают микросхемы FPM, EDO и довольно редко BEDO. Ожидается рост популярности модулей DIMM, которых существует уже два поколения. В модули DIMM второго поколения устанавливают и микросхемы SDRAM, модули первого поколения до нас почти не дошли

Для конфигурирования системной платы важно знать спецификацию быстродействия применяемой памяти. Для обычной (не синхронной) памяти FPM, EDO, BEDO в качестве спецификации используется время доступа (-80, -70, -60, -50, -40 нс), иногда последний нолик не пишут, и спецификация тех же микросхем представляется как -8, -7, -6, -5, -4. Для синхронной памяти SDRAM в качестве спецификации выступает минимальный период синхронизации (-10, -12, -15 нс), что соответствует времени доступа применяемых запоминающих ячеек 50, 60, 70 нс соответственно. От спецификации быстродействия зависит эффективность (и даже возможность) применения памяти в конкретной системной плате на заданной частоте системной шины. Применение более медленной памяти может привести к появлению дополнительных тактов ожидания при операциях с ОЗУ, что заметно снизит производительность компьютера. Если же попытаться задать временную диаграмму памяти неоправданно быстрой, то работа компьютера скорее всего будет неустойчивой. Для каждого типа памяти и каждой тактовой частоты имеется оптимальная спецификация памяти: менее быстродействующая память приведет к лишним тактам ожидания, более быстродействующая не даст преимуществ, но будет дороже. На временные диаграммы памяти влияет много факторов - задержки сигналов зависят от чипсета, наличия промежуточный буферов, длины проводников платы, количества устанавливаемых модулей и микросхем на них и т.п. Поэтому для каждой модели системной платы оптимальные спецификации для используемых тактовых частот будут свои. Требуемая спецификация быстродействия обычно указывается в документации на системную плату.

Требования к быстродействию памяти: