Условные обозначения к табл. 5.

Ключем к высокопроизводительной литографии являются высококачественные стойкие шаблоны, которые способны выдерживать термические и механические напряжения. Выбор вида излучения (широкие пучки УФ-излучения, рентгеновского излучения, электронов или ионов) для экспонирования через шаблон, зависит в основном от трех факторов:

1) может ли быть изготовлена маска с резкостью края лучше чем 1/10 воспроизводимого размера;

2) обеспечивается ли достаточная плоскостность шаблона и сохраняются ли она, а также рисунок неизменными во время экспонирования:

3) может ли быть разработана такая схема совмещения, в которой различались бы длины волн экспонирования и совмещения.

Техника изготовления шаблонов даст толчек развитию новых резистов и процессов.

Уменьшение глубины фокуса в оптической литографии требует применения более плоских пластин, автофокусировки и автосовмещения. Для уменьшения ошибок совмещения и фокусировки необходимо применять низкотемпературные процессы, в которых меньше коробление пластин, и планировать конструкцию изготовляемых приборов. Для субмикронной литографии необходимо последовательное совмещение от кристалла к кристаллу. Установки, в которых совмещены принципы сканирования и пошагового экспонирования, будут развиваться исходя из требования на совмещение.

Основными проблемами оптического и ионно-лучевого экспонирования Si-пластин являются многослойные резисты.

Величина К=0.3 в случае записи рисунка в верхний поверхностный слой, 0.5- в верхний промежуточный слой (многослойные резисты), 0.8- во всей толщине однослойной резистной пленки. Основные направления увеличения разрешения заключается в уменьшении толщины чувствительного слоя, по крайней мере, до четверти величины минимального требуемого размера (разрешения).

Производительность любого экспонирующего оборудования лимитирована интенсивностью источника и чувствительностью резиста. При оптическом экспонировании, исключая ДУФ-диапазон, эти величины соответствуют друг другу. Для электронно- и ионно-лучевого экспонирования желательно повысить чувствительность. Особенно это относится к новолачным резистам. Для рентгеновского экспонирования требуются хорошие однослойные пленки резиста, чтобы реализовать возможности получения высокого разрешения и устранить низкую производительность. С помощью рентгеновского экспонирования можно также избежать дополнительных затрат, связанных с внедрением многослойных резистов, требуемых в будущем для оптической и электронно-лучевой литографии.

Список литературы.

1. Александров Ю. М., Валиев К. А., Великов Л. В., Душенков С. Д.,

Махмутов Р. Х., Якименко М. Н. Применение трафаретных шаб- лонов в рентгенолитографии // Микроэлектроника.- 1986.- Т. 15,

№ 1.-С. 66-69.

2. Александров Ю. М., Валиев К. А., Великов Л. В. и др. Рентгено- чувствительные резисты для субмикронной литографии. Микро- электроника, 1983, т. 12, с.3-10.

3. Березин Г. Н., Никитин А. В., Сурис Р. А. Оптические основы контактной фотолитографии.- М.: Радио и связь, 1982.- 104 с.

4. Боков Ю. С. Фото-, электроно- и рентгенорезисты. - М.: Радио и связь, 1982.-136 с.

5. Борн М., Вольф Э. Основы оптики: Пер. с англ. - М.: Наука, 1970.- 855 с.

6. Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии /

Пер. с англ. В. А. Володина, В. С. Першенкова, Б. И. Подле- пецкого под ред. А. В. Шальнова.- М.: Мир, 1985.- 496 с.

7. Валиев К. А., Великов Л. В., Вернер В, Д., Раков А. В. Субмикронная контактная литография с трафаретными шабло- нами.- Электронная промышленность, 1983, № 1, с. 36-38.

8. Валиев К. А., Великов Л. В., Душенков С. Д. и др. Эффект фото- травления полимеров под действием вакуумного ультрафиолета. - Письма в ЖТФ, 1982, т. 8, вып. 1, с. 33-36.

9. Валиев К. А., Великов Л. В., Душенков С. Д., Махмутов Р. Х., Устинов Н. Ю. Новый метод исследования разрешающей способ- ности электроно - резистов с помощью субмикронной маски- шаблона, находящейся в контакте с резистом // Микроэлектро- ника.- 1982.-Т.II.- Вып. 5.-С.447-450.

10. Валиев К. А., Кириллов А. Н., Ковтун Б. Н., Махвиладзе Т. М., Мкртчян М. М. Оптимизационный метод коррекции эффекта близости в электронной литографии // Микроэлектроника.- 1987, - Т.6, - С.122-130.

11. Валиев К. А., Махвиладзе Т. М., Раков А. В. Кинетика процесса безрезистной литографии// Микроэлектроника.- 1986.- Т. 15, вып.

5.- С. 392-397.

12. Виноградов А. В., Зорев Н. Н. Проекционная рентгеновская литография.-Препринт / ФИАН СССР.-М., 1987.- № 104.- С. 1-35.

13. Деркач В. П., Кухарчук М. С. Электронная литография как эффективное средство для освоения субмикронных размеров элементов БИС. -Микроэлектроника, 1980, т. 9, вып. 6, с. 498-516.

14. Деркач В. П., Мержвинский А. А., Старикова Л. В. Метод коррек- ции эффекта близости в электронной литографии // Микро- электроника.- 1985 .-Т.14, вып. 6.-С.467-477.

15. Котлецов Б. Н. Микроизображения. Оптические методы получе- ния и контроля.- Л.: Машиностроение, 1985.- 240 с.

16. Никитин А. В., Никитина М. А., Сурис Р. А. Формирование изображения оптической системой в проекционной фотолитогра- фии. - Электронная промышленность, 1980, № 5, с. 27-32.

17. Попов В. К., Ячменев С. Н. Расчет и проектирование устройств электронной и ионной литографии.-М.:Радио и связь,1985. -128 с.

18. Селиванов Г. К., Мозжухин Д. Д., Грибов Б. Г. Электронно- и рентгеночувствительные резисты в современной микроэлектро- нике // Микроэлектроника.- 1980 .-Т. 9, вып. 6.-С. 517-539.