Конструирование микросхем и микропроцессоров
Рефераты >> Программирование и компьютеры >> Конструирование микросхем и микропроцессоров

На этом этапе мы рассчитали первый резистор из первой группы (R1). Расчет остальных резисторов этой группы аналогичен и далее не приводится. Результаты расчета всех резисторов данной группы сведены в таблицу.

Таблица 7. Результаты расчета резисторов первой группы

Резистор

Кф

bmin g , мм

bmin p , мм

b, мм

l, мм

Вид резистора

R1

1,9

0,78

0,0086

0,78

1,48

Прямой, неподстр.

R6

1,9

0,78

0,0000053

0,78

1,48

Прямой, неподстр.

R7

8,5

0,57

0,02

0,57

4,85

Прямой, неподстр.

R9

1

1,03

0,086

1,03

1,03

Прямой, неподстр.

R10

6

0,60

0,03

0,60

3,60

Прямой, неподстр.

R12

1

1,03

0,15

1,03

1,03

Прямой, неподстр.

R13

2

0,77

0,03

0,77

1,54

Прямой, неподстр.

R14

7

0,59

0,39

0,59

4,13

Прямой, неподстр.

R16

7

0,59

0,0043

0,59

4,13

Прямой, неподстр.

R17

5

0,62

0,083

0,62

3,10

Прямой, неподстр.

R18

2

0,77

0,10

0,77

1,54

Прямой, неподстр.

R19

2

0,77

0,10

0,77

1,54

Прямой, неподстр.

На этом расчет резисторов первой группы завершен. Все резисторы получились прямыми и неподстраиваемыми. Благодаря этому размеры резисторов минимальны, что позволит располагать их на подложке компактно и с наибольшей степенью интеграции.

Расчет резисторов второй группы.

1. Определяем диапазон , в котором можно вести расчет:

0,02 Rmax < < Rmin Þ 900 < < 10000

Видим, что неравенство выполняется, следовательно эти резисторы выполняются из одного материала. Для того чтобы резисторы были как можно меньше выберем материал с как можно большим удельным поверхностным сопротивлением (). Остановим свой выбор на материале “КЕРМЕТ”. Этот материал обладает следующими характеристиками:

Таблица 8. Материал для второй группы резисторов

Наименование

, Ом/

a R , 1/°C

P0 , мВт/мм2

S, %/103 час

2

Кермет К-50С

ЕТО,021,013,ТУ

5000

0,0004

10

0,5

Этот материал обладает хорошими характеристиками, свойственными резистивным материалам, а именно: низким ТКС (aR), низким коэффициентом нестабильности (старения) (S), хорошей адгезией и технологичностью.

2. Вычислим относительную температурную погрешность:

=0,0004(150-20)=0,052

3. Вычислим относительную погрешность старения:

, где

tисп - время испытания за которое определен коэффициент старения S;

tисп = 1000 часов.

4. Вычислим относительную погрешность контактирования:


Страница: