Конструирование ЭВС
Рефераты >> Радиоэлектроника >> Конструирование ЭВС

ОГЛАВЛЕНИЕ

Техническое задание

Подбор элементной базы

Расчет теплового режима блока

Расчет массы блока

Расчет собственной частоты ПП

Расчет схемы амортизации

Расчет надежности по внезапным отказам

Литература  

  

ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ

1. Назначение аппаратуры.

Данный блок относится к классу бортовой аппаратуры и предназначен для установки в управляемый снаряд. Функционально блок предназначен для свертки сигнала принимаемого бортовой РЛС.

2. Технические требования:

а) условия эксплуатации:

- температура среды tо=30 оC;

- давление p = 1.33 × 104 Па;

б) механические нагрузки:

- перегрузки в заданном диапазоне

f, Гц

10

30

50

100

500

1000

g

5

8

12

20

25

30

- удары u = 50 g;

в) требования по надежности:

- вероятность безотказной работы P(0.033) ³ 0.8.

3. Конструкционные требования:

а) элементная база - микросхемы серии К176 с КМДП логикой;

б) мощность в блоке P £ 27 Вт;

в) масса блока m £ 50 кг;

г) тип корпуса - корпус по ГОСТ 17045-71;

д) тип амортизатора АД -15;

е) условия охлаждения - естественная конвекция.

ПОДБОР ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ

Поскольку проектируемый электронно-вычислительный блок является бортовой аппаратурой, то к нему предъявляются следующие требования:

· высокая надежность;

· высокая помехозащищенность;

· малая потребляемая мощность;

Наиболее полно этим требованиям удовлетворяют интегральные микросхемы на дополняющих МДП (МОП) структурах - КМДП структуры.

Цифровые интегральные схемы на КМДП-транзисторах - наиболее перспективные. Мощность потребления в статическом режиме ЦИС составляет десятки нановатт, быстродействие - более 10 МГц. Среди ЦИС на МДП-транзисторах ЦИС на КМДП-транзисторах обладают наибольшей помехоустойчивостью: 40 .45 % от напряжения источника питания. Отличительная особенность ЦИС на КМДП-транзисторах - также высокая эффективность использования источника питания: перепад выходного напряжения элемента почти равен напряжению источника питания. Такие ЦИС не чувствительны к изменениям напряжения питания. В элементах на КМДП-транзисторах полярности и уровни входных и выходных напряжений совпадают, что позволяет использовать непосредственные связи между элементами. Кроме того, в статическом режиме их потребляемая мощность практически равна нулю.

Таким образом была выбрана серия микросхем К176 (тип логики: дополняющие МОП-структуры). Конкретно были выбраны две микросхемы:

· К176ЛЕ5 - четыре элемента 2ИЛИ-НЕ;

· К176ЛА7 - четыре элемента 2И-НЕ.

Параметр

К176ЛЕ5

К176ЛА7

Входной ток в состоянии “0”, Iвх0, мкА, не менее

-0.1

-0.1

Входной ток в состоянии “1”, Iвх1, мкА, не более

0.1

0.1

Выходное напряжение “0”, Uвых0, В, не более

0.3

0.3

Выходное напряжение “1”, Uвых1, В, не менее

8.2

8.2

Ток потребления в состоянии “0”, Iпот0, мкА, не более

0.3

0.3

Ток потребления в состоянии “1”, Iпот1, мкА, не более

0.3

0.3

Время задержки распространения сигнала при включении tзд р1,0, нс, не более

200

200

Время задержки распространения сигнала при включении tзд р0,1, нс, не более

200

200

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Напряжение источника питания, В

5 - 10 В

Нагрузочная способность на логическую микросхему, не более

50

Выходной ток Iвых0 и Iвых1, мА, не более

0.5

Помехоустойчивость, В

0.9

РАСЧЕТ ТЕПЛОВОГО РЕЖИМА БЛОКА

Исходные данные:

Размеры блока:

L­1=250 мм L­2=180 мм L­3=90 мм

Размеры нагретой зоны:

a1=234 мм a2=170 мм a3=80 мм

Зазоры между нагретой зоной и корпусом

hн=hв=5 мм

Площадь перфорационных отверстий

Sп=0 мм2

Мощность одной ИС

Pис=0,001 Вт

Температура окружающей среды

tо=30 оC

Тип корпуса

Дюраль

Давление воздуха

p = 1.33 × 104 Па

Материал ПП

Стеклотекстолит

Толщина ПП

hпп = 2 мм

Размеры ИС

с1 = 19.5 мм с2 = 6 мм c3 = 4 мм


Страница: