Расчёт электрических параметров Т-образной эквивалентной схемы биполярного транзистора
rк – диффузионное сопротивление коллекторного перехода определяет нелинейность выходных ВАХ.
|
Uк |
1 |
4 |
7 |
10 |
|
Rк |
7,3·1010 |
15·1011 |
19·1011 |
23·1011 |
mэк – коэфициент обратной связи по напряжению характеризует эффект модуляции толщины базы
|
Uк |
1 |
4 |
7 |
10 |
|
mэк |
-0,00084 |
-0,00042 |
-0,00032 |
-0,00026 |
rб - сопротивление тела базы, то есть омическое сопротивление области базы вне поля объёмного зарада.
|
Uк |
1 |
4 |
7 |
10 |
|
Iэ=Iо |
0,000008 |
0,000008 |
0,000008 |
0,000008 |
|
Iэ=0,005 |
0,004958 |
0,004958 |
0,004958 |
0,004958 |
|
Iэ=0,01 |
0,009912 |
0,009912 |
0,009912 |
0,009912 |
|
Iэ=0,015 |
0,014866 |
0,014866 |
0,014866 |
0,014866 |
|
Iэ=0,02 |
0,019820 |
0,019820 |
0,019820 |
0,019820 |
Семейство выходных или коллекторных ВАХ является отражением ВАХ обратно смещённого рп перехода, но с учётом влияния эмиттерного перехода
Смещение выходных статических характеристик вверх в выбранной системе координат при увеличении тока эмиттера соответствует принципу действия транзистора.
Обметим некоторые особенности характеристик транзистора. Ток коллектора почти не зависит от напряжения на коллекторе. Напряжение на базе не зависит от напряжения на коллекторе и слабо зависит от тока базы. Из сказанного следует, что для малых приращений тока базы можно заменить источником тока коллектора, управляемого током базы. При этом, если пренебречь падением напряжения между базой и эмиттером, то можно считать этот переход коротким замыканием.
