Радиационные процессы в ионных кристаллах
(2.11)
В принципе возможны и другиереакции распада низкоэнергетических электронных возбуждений на структурные дефекты в регулярных узлах кристаллической решетки.
В основе механизмов распада электронных возбуждения па структурные дефекты лежит элоктронколебательное взаимодейстпид, обеспечивающес превращение потенциальной энергии электронных возбуждений в смещения ионов порядка , постоянной решетки собственных электронных воздуждений (Ее) больше энергии созда-
ния радиационных дефектов (Еd), а время жизни электронных воз-буддений в элементарной ячейке (
) больше периода колебаний кристаллообразующих частиц ( 
), то электрон-колебательное взаимодействие может привести к распаду электронного возбуждения на френкелевские дефекты. Следовательно, неравенства Ее>Еd и 
можно рассматривать как приближенные устовия возможности распада электронных возбуждений с ровдением дефектов за счет электрон-колебательных взаимодействий [21].
С этой точки зрения объяснима низкая эффективность прямого дефектообразования при распаде высокоэнергетических электронных возбуаздений. В этом случае выполняется первое неравенство ( Ее>Еd) но не выполняется второе: подавляющее большинство сысокоэнергети-ческих электронных возбуждении имеет очень малое время жизни, либо слишком короткое время жизни в фиксированной элементарной ячейке кристалла.
Особенно благоприятна ситуация для распада тех электронных возбуждении, которые переходят в автолокализованное состояние. Для них условие явно выполняется. Установлено, что автоло-кализованные экситоны существуют в галоидных солях щелочных и щелочноземельных металлов, в гидриде лития, в некоторых галоидных солях свинца и серебра. Вое эти системы имеют низкую радиационную стойкость. Ионные кристаллы, для которых автолокализация экситонов отсутствует ( MgO, Al2, O3 , ), имеют исключительно высокую радиационную устойчивость.
