На рис. 2 изображена зависимость проходного сечения канала полевого транзистора с p – n переходом от напряжения смещения между затвором и истоком (а) и истоком и стоком (б). Как видно из рис.26, а, увеличение

Затвор Сток

Область, обеднённая

носителями

Канал зарядов Канал

а б

Рис. 2. Зависимость профиля проходного сечения полевого транзистора с p – n переходом от напряжения смещения между затвором и истоком (а) и истоком и стоком (б)

Напряжения смещения перехода приводит к расширению области обеднённого слоя. Увеличение же напряжения питания, подаваемого между стоком и истоком, согласно рис.2, б, наоборот, сжимает её, делая клиновидной. И если первый фактор способствует уменьшению тока, то второй – его увеличению.

3,0 3,5

I II III

2,5 3

2,0 2,5 Rc=0 Rc=5к

Rc=0 2

1.5 Rc=5ком 1,5 Rc=15к