Адрес смещения хранится в регистре IP (16б).

Расширенная память XMS. Для того, чтобы она была доступна используют специальные драйверы:

HIMEM.SYS

QEMM.SYS

Область старшей памяти – это область памяти в один сегмент (64кБ) после 1МБ.

Для того, чтобы использовать эту память существует драйвер XMS.SYS.

Физическая организация памяти.

1. Двусторонние ЗУ.

Составной частью являются элементы памяти:

1. Бистабильный триггер – статическая память (SIM).

2. Электронный ключ на полевом транзисторе – динамическая память (DIM).

3. Магнитный сердечник – ферритовая память.

Это все были статические запоминающие элементы, т. е. Они могут хранить информацию сколь угодно долго, пока есть питание.

Простейшие схемы динамической памяти.

Должно выполнятся условие Сз.э.>>Ср.ш.

Информация должна возобновится.

Режимы работы ЗУ.

1) хранение

2) чтение

3) запись

4) регенерация (для динамической памяти)

5) чтение – модификация – запись (считываемые данные изменяются, и записываются по этому же адресу).

Преимущества п/п ЗУ.

1) большая емкость при малых размерах

2) высокое быстродействие

3) высокая технологичность

4) низкая емкость.

Недостатки п/п ЗУ.

1) потеря информации при отключении питания

2) чувствительность к воздействию электромагнитных полей.

Мультиплексированные адреса.

Сначала записывается во входной регистр старший байт, затем он пересылается в регистр Y. Потом записывается во входной регистр младший байт. И он пересылается в регистр Х.

По полноте структурной схемы ЗУ делятся на:

- схемы без дешифрации адреса и данных

- без дешифрации данных

- без дешифрации адреса

- с полной дешифрацией информации.

По способу подачи данных - однонаправленные и двунаправленные.

По числу каналов – одноканальные и многоканальные.

В микросхемах ЗУ могут быть следующие выходы:

1) логический выход (0 и 1), объединение через дизъюнкцию

2) выход с открытым коллектором

3) выход с открытым эмиттером

4) с трех стабильным выходом

5) с объединением входа и выхода.

Графическое обозначение микросхемы памяти.

Управляющие сигналы могут быть следующими.

1) Выбор кристалла (микросхемы) CS (разрешение работы).

2) Чтение/Запись W/R(0 - запись, 1 - чтение).

3) Сигнал разрешения обращения к микросхеме ОЕ (при полном (не мультиплексном) адресе).

Если адрес мультиплексный, то управляющих сигналов больше:

1) CS

2) OE

3) W/R

4) RAS – сигнал выбора строба адреса строки

CAS – сигнал выбора строба адреса столбца.

Эти стробы управляют и процессом выбора кристалла. Если хотя бы одного из этих сигналов нет, то выбора не происходит.

Параметры запоминающих микросхем.

1) быстродействие (10 ¸ 200нс)

2) потребляемая мощность

3) стоимость

4) емкость и др.

Емкости некоторых микросхем

64к*1б – 4164 (41-разрядность,64-объем)

128к*1б – 41128

64к*4б – 41000

4М*1 или 1М*4 – 44000.

Микросхема К565РУ1. Строка включает 64 запоминающих элемента. Всего 64 строки (РУ – память).

Вход – одноразрядный. Адрес – двенадцатиразрядный.

Схема матрицы элементов (для одной строки):

Сигнал с мультиплексора MS формируется специальной схемой.

Режим работы микросхемы.

CE	CS	RD	Режим	Создание Д0
0	x	x	Хранение	Высокоомный выход
1	0	0	Запись, регенерация	(закрытый выход) Д
1	0	1	чтение, регенерация	`Д
1	1	x	Регенерация	Д

Способы увеличения разрядности емкости блоков памяти на динамической памяти.

Увеличение емкости памяти.

Строчная организация:

Полупроводниковые ЗУ с интерфейсом Mulypas.

Регенерация.

Способы регенерации:

1. Программный.

2. Аппаратный.

3. Аппаратно – программный (IBM PC).

4. Автогенерация.

При программном способе есть программа. которая управляет регенерацией. Специальный таймер каждые 2мс выдает сигнал прерывания и обращение к микропрограмме регенерации, которая выдает специальный сигнал регенерации, поступающий во всю схему управления всех схем ЗУ. По этому сигналу ДС выбора банка осуществляется включение всех банков памяти ЭВМ. После выбора этих банков осуществляется последовательное обращение к ячейкам памяти внутри банка. Регенерация информации происходит для выборной ячейке во всех банках. Время действие программы 150мкс.