Напомним, что под обычными установками (Standard CMOS Setup) мы понимаем информация дате (месяц, день, год), текущих показаниях часов (часы, минуты, секунды), количестве стандартной и расширенной мяти (в килобайтах), технических параметрах и типе накопителей, дисплея, а также о подключении клавиатуры. Заме например, что если в этой программе в строке Keyboard сказать «Not Installed», то даже при отсутствии клавиатуры компьютер не выдаст сообщения об ошибке.

Расширенные установки (Advanced CMOS Setup и Advanced ChipSet Setup) включают в себя дополнительные возможности конфигурирования системной платы. Наиболее общими являются, например, такие возможности, как допустимая скорость ввода символов с клавиатурв (по умолчанию 15 символов в секунду), тестирование, тестирование памяти выше границы 1 Мбайт, разрешение использования арифмети­ческого сопроцессора Weitek, приоритет или последовательность загрузки (т.е. попытка загрузки компьютера сначала с накопителя со сменным, а затем несменным носителем или наоборот), установка определенной тактовой частоты микропроцессора при включении, разрешение парольной защиты и т.д. Как правило, расширенные установки допускают определение областей «теневой» (shadow) памяти для системной ROM BIOS, а также ROM BIOS видеоадаптеров, контроллеров накопителей и дополнительных адаптеров. Кроме этого, возможна установка тактовой частоты системной шины, а также числа тактов ожидания (или временной задержки) для микропроцессора при обращении к устройствам ввода-вывода, оперативной и/или кэш-памяти.

Заметим, что в случае повреждения микросхемы CMOS RAM (а также при разряде батареи или аккумулятора) прог­рамма Setup имеет возможность воспользоваться некой ин­формацией по умолчанию (BIOS Setup Default Values), кото­рая хранится в таблице соответствующей микросхемы ROM BIOS.

НОВЫЕ ВИДЫ ПАМЯТИ

Резкое повышение быстродействия процес­соров и переход на 32-разрядные многоза­дачные операционные системы сущест­венно поднимают требования и к другим компонентам компьютера. Важнейшим из них является оперативная память. Возрастание внешних тактовых частот процессоров с 33-40 МГц, характерных для семейства 486 (486DX2-66/80 и 486DX4-100/120), до 50-66 МГц для Pentium (Pentium 75/90/100/120/133), требует прежде всего адекватного увеличения быст­родействия подсистемы памяти. Поскольку в ка­честве оперативной используется относительно медленная динамическая память DRAM (Dynamic Random Access Memory), главный способ увели­чения пропускной способности основан на при­менении кэш-памяти. Кроме встроенной в про­цессор кэш-памяти первого уровня применяется и кэш-память второго уровня (внешняя), построенная на более быстродействующих, чем DRAM, микросхемах статической памяти SRAM (Static RAM). Для высоких тактовых частот нужно увеличивать быстродействие SRAM. Кроме того, в многозадачном режиме эф­фективность работы кэш-памяти также может снижаться. Поэтому актуальной становится за­дача не только увеличения быстродействия кэш-памяти, но и ускорения непосредственного дос­тупа к динамической памяти. Для решения этих проблем начинают использоваться новые типы статической и динамической памяти.

Требования к объемам памяти диктуются программным обеспечением. При использовании Windows оценить необходимое количество памяти можно на основе тестов Winstone, использующих наиболее популярные приложения Windows. Соответствующие данные представлены на рисунке 1.

Статическая память

В качестве кэш-памяти второго уровня практиче­ски всегда применялась (и до сих пор продолжа­ет широко применяться) стандартная асинхрон­ная память SRAM. При внешних тактовых частотах порядка 33 МГц хорошие результаты давала статическая память со временем выборки 15-20 ns. Для эффективной работы на частотах выше 50 МГц такого быстродействия уже недос­таточно. Прямое уменьшение времени выборки до нужных величин (12-8 ns) обходится дорого, так как требует зачастую применения дорогой технологии Bi-CMOS вместо CMOS, что непри­емлемо для массового рынка. Поэтому предла­гаемое решение заключается в применении но­вых типов памяти с усовершенствованной архи­тектурой, которые первоначально были разрабо­таны для мощных рабочих станций. Наиболее перспективна синхронная SRAM. В отличие от обычной асинхронной, она может использовать те же тактовые сигналы, что и остальная систе­ма, поэтому и называется синхронной. Она снаб­жена дополнительными регистрами для хране­ния информации, что освобождает остальные элементы для подготовки к следующему циклу еще до того, как завершился предыдущий. Быст­родействие памяти при этом увеличивается при­мерно на 20%. Эффективную работу на самых высоких частотах может обеспечить особая раз­новидность синхронной SRAM — с конвейерной организацией (pipelined burst). При ее при­менении уменьшается число циклов, требую­щихся для обращения к памяти в групповом ре­жиме. Пример для тактовой частоты 66 МГц (Pentium 100 и Pentium 133) приведен в таблице1. В случае группового режима чтения-записи для первого обращения нужно 3 цикла, для каждого следующего — только 1.

Динамическая память

Так же, как и для статической памяти, прямое со­кращение времени выборки для динамической памяти достаточно трудно технически осущест­вимо и приводит к резкому росту стоимости. По­этому ориентация в новых системах идет на микро­схемы со временем выбор­ки 60-70 ns. Стандартные микросхемы DRAM имеют страничную организацию памяти — Fast Page Mode (FPM), которая позволяет значительно ускорить дос­туп к последовательно расположенным (в пределах страницы) данным по сравнению со случаем произвольной выборки. Поскольку обращения к последовательно распо­ложенным данным в реальных задачах встреча­ются очень часто, применение FPM DRAM замет­но повышает производительность. FPM DRAM со временем выборки 60-70 ns обеспечивает необ­ходимые характеристики для тактовых частот 33-40 МГц. При повышении тактовой частоты обеспечить надежное и быстрое считывание данных в страничном режиме уже не удается. Эту проблему в значительной степени решает применение памяти нового типа - EDO DRAM (Extended Data Output DRAM). От обычной памяти со страничной организацией она отличается на­личием дополнительных регистров для хранения выходных данных. Увеличивается время, в тече­ние которого данные хранятся на выходе микро­схемы, что делает выходную информацию дос­тупной для надежного считывания процессором даже при высоких тактовых частотах (фактически время между обращениями в страничном режи­ме можно уменьшить до 30 ns по сравнению с 45 ns для FPM).