U<0,U>0

Ток коллектора I=B*I+(B+1)I=B*I+I ; I=(B+1)I.

Где B – коэффициент усиления базового тока в схеме с ОЭ.

Область насыщения определяется точками пересечения линии нагрузки с линией насыщения. Этой области соответствует режим насыщения. При котором:

--транзистор открыт, т.к. оба его перехода смещены в прямом направлении

U<0,U<0

--напряжение U и U насыщенного транзистора составляет доли вольта

--максимальный ток транзистора (ток насыщения) I, практически не зависит от параметров транзистора

I= (3.1)

--сопротивление транзистора постоянному току минимально (десятки ом)

r=

Коллекторный ток насыщения достигается при граничном токе базы I==. (3.2)

Глубина или степень насыщения транзистора определяется коэффициентом насыщения S

S=.

3.2. Расчёт транзисторного ключа.

Расчёт ключей производится с целью обеспечения статического и динамического режимов, при которых в заданном диапазоне происходит надёжное включение и выключение транзистора с требуемым быстродействием.

Выбор типа транзистора. Тип транзистора выбирается исходя из заданного быстродействия, необходимой амплитуды выходного напряжения, температурного диапазона работы.

Выбираем тип транзистора КТ315А.

Iдоп=100 мА

IмкА (при 20)

f МГц

C пФ

B=55

Выбор источника коллекторного питания. Значение источника E выбирают по заданной амплитуде U выходного напряжения

E=(1,11,2)*U=(1,11,2)*5=5,56 (B),

При этом должно выполнятся неравенство

EUдоп=20 (В),

Выбираем E =5,7 B.

Коллекторный ток насыщения. Величина тока I ограничена с двух сторон

20*IIIдоп,

где I -обратный ток коллекторного перехода при t;

Iдоп=допустимый ток коллектора в статическом режиме (в состоянии длительного включения).

Можно рекомендовать

I=0,8*Iдоп=0,8*100*10=80*10(А) (3.3)

Определение коллекторного сопротивления. Величина коллекторного сопротивления находится из (3.1),(3.3):

R===71,25 (Ом)

Выбираем R=75 Ом.

Обратный ток коллекторного перехода определяется при максимальной температуре t по формуле

I =I(20) *2,

Где I(20)-обратный ток коллекторного перехода при 20.

Сопротивление резистора R выбирается из условия получения режима отсечки закрытого транзистора при максимальной температуре.

R==9735 (Ом)

Выбираем R=9,1 (кОм)