Электронны, квантовые приборы и микроэлектроникаРефераты >> Коммуникации и связь >> Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника
Контрольное задание состоит из двух задач.
Задача №1
Ответить на два (по разделу II – один) контрольных вопроса из каждого раздела курса. Выбор вариантов осуществляются согласно первой букве фамилии студента и последней цифре номера зачетной книжки по таблице 1.
Задача № 2.
Рассчитать режим по постоянному и переменному току транзистора с общим эмиттером (ОЭ), работающего на активную нагрузку и управляемого от генератора синусоидального тока.
Задано:
1) семейства статических входных и выходных характеристик транзистора, по табл. 2 (соответствующие характеристики находятся по справочной литературе, например, по [10,11]);
Таблица 2
|
Параметр | Первая буква фамилий студента | |||||||||
| А, Д | Б, Е | В, Г, Я | Ж, З, И | Л, К | М, О | Н, П | С, Ч, Ф | Р, Т, У | Х, Ц, Ш, Щ, Э, Ю | |
|
Тип транзистора | ГТ308 | МП25 | КТ 361 | КТ 312А | МП 118 | КТ 315 | КТ 375А | КТ 312Б | КТ 361Д | КТ 201А |
2) напряжение коллекторного питания – ЕК,
3) сопротивление коллекторной нагрузки – RK,
4) амплитуда переменной составляющей базового тока – IБМ. .
Значения ЕК, RK, IБМ – выбираются согласно шифра студента по таблицам 3, 4.
Требуется:
1. Перерисовать статические характеристики транзистора и построить на них динамические (нагрузочные) характеристики.
Таблица 3
|
Параметр | Последняя цифра номера зачетной книжки | |||||||||
| 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | |
|
ЕК, В RK, кОм | 10 0,5 | 12 0,6 | 15 0,75 | 18 1,0 | 20 1,0 | 10 1,0 | 12 1,2 | 15 1,5 | 18 1,8 | 20 2,0 |
Таблица 4
|
Параметр | Предпоследняя цифра номера зачетной книжки | |||||||||
| 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | |
|
IБМ, мкА | 50 | 75 | 100 | 50 | 75 | 100 | 50 | 75 | 100 | 150 |
2. Исходя из условия оптимального (неискаженного) усиления выбрать рабочую точку на входной и выходной характеристиках.
3. Указать пределы изменения входных и выходных токов и напряжений, соответствующих IБМ.
4. Определить в рабочей точке параметры h11, h12, h21, h22, ki, ku.
Методические указания по выполнению контрольного задания
Письменные ответы на контрольные вопросы следует давать после изучения соответствующей темы курса.
Расчетную часть контрольного задания (задачи 2,3) необходимо выполнять после изучения тем 4 I-раздела и 1 III-раздела курса. Построение рабочих (нагрузочных) характеристик и определение параметров по характеристикам показано в [1] (стр.148-155). Следует обратить внимание на то, что статистические входные характеристики, снятые при разных значениях VК, располагаются близко друг другу. Это позволяет, с достаточной степенью точности, принимать одну из статистических входных характеристик за рабочую динамическую входную характеристику.
Ниже на примере показано последовательность расчетов и построений для задачи № 2.
Пример расчета задачи 2
Пусть исходными данными для расчета будут: ЕК = 20 В; RК = 1 кОм; IБМ= 50 мкА. Тип транзистора – КТ312Б.
Расчет начнем с выбора рабочей точки на выходной динамической характеристике или нагрузочной линии (НЛ). Уравнение НЛ описывается выражением:
ЕК = VК + IК RК или IК = (ЕК -VК )/ RК,
где VК, IК – напряжение и ток коллектора.
Срисовывая из справочника [10] семейство выходных статистических характеристик транзистора КТ312Б, строим на нем нагрузочную линию, ордината которой при VК = ЕК (см.рис.3). Поскольку нагрузка RК является чисто активной, то соединение прямой этих двух точек и дает НЛ.
